Научная работа "Electrical levels of dislocation network in p- and n-type silicon" магистранта кафедры электроники твердого тела физического факультета СПбГУ Ивана Исакова по результатам, полученным на оборудовании МРЦ-НТ, на международной конференции по протяженным дефектам в полупроводниках EDS-2010 была признана лучшей среди докладов молодых ученых и отмечена премией Гельмута Александра (Helmut Alexander).
Желаем Ивану дальнейших научных успехов!
