Ток, наведенный электронным лучом (Electron beam induced current – EBIC) – метод широко используемый для характеризации полупроводниковых материалов. Для проведения измерений EBIC на поверхности исследуемого объекта необходимо сформировать потенциальный барьер для выпрямляющего контакта (p+n-, n+p- переход либо диод Шоттки). EBIC измерения позволяют вычислить диффузионную длину неосновных носителей и места их активной рекомбинации. Температурные зависимости EBIC контрастов дают информацию о механизмах рекомбинации носителей.
1 Построение карт интенсивности EBIC
Модуль Gatan SmartEBIC и усилитель Stanford Research SR570, установленные на сканирующем электронном микроскопе Carl Zeiss Supra, 40VPи Carl Zeiss Auriga позволяют регистрировать абсолютные значения тока, наведенного электронным лучом. Ширина области генерации электрон-дырочных пар определяется значением ускоряющего напряжения электронного пучка (0-30 keV).
Рис. 7.1 EBIC карта полупроводниковой структуры
Дополнительные возможности:
Благодаря наличию у СЭМ Supra 40VP взаимозаменяемых проточного гелиевого криостола (Gatan CF302) и нагревательного стола (Carl Zeiss MK5), возможно получение карт интенсивности EBIC в широком температурном диапазона от 10 К до 450 К.
