ХОГФ, индуцированное электронным или ионным пучком, используется для локального осаждения материалов из металлорганических прекурсоров. Для реализации этого метода к поверхности образца подводятся сопла, подключенные к резервуарам с различными прекурсорами. Резервуары нагреваются, и из сопел на поверхность образца поступают пары прекурсоров.
При экспозиции электронным или ионным пучком молекулы прекурсоров, находящиеся на поверхности образца, распадаются, осаждаемый материал остается на подложке, а органический остаток десорбируется и улетает. Таким методом можно осаждать платину, вольфрам, золото и углерод. Следует отметить, что осаждаемый материал по своим химическим и структурным характеристикам сильно отличается от кристаллического чистого вещества. Так, согласно EDX, в состав материала, осаждаемого ионным пучком из прекурсора платины, входит около 20% углерода и 5%-10% галлия (из ФИП ситочника). Тем не менее, осаждаемые материалы обладают достаточно хорошей электропроводимостью и механической прочностью, что дает возможность использовать этот метод в качестве локальной пайки в субмикронном масштабе. (риc. 4.1)
Рис. 4.1. А – Платиновое острие, выращенное методом ХОГФ, индуцированного электронным пучком, на вершине зонда для атомно-силовой микроскопии. Б – Увеличенное изображение платинового острия.
