Методом МН - ALD можно покрывать подложки сложной формы и большой поверхности однородным по толщине слоем синтезируемого вещества, что является его уникальным отличием от всех известных способов нанесения тонких пленок. Воспроизводимый на атомном уровне процесс роста позволяет получать пленки заданной с точностью до монослоя толщины, в том числе с чередованием слоев различных химических соединений. В настоящее время методом ALD синтезированы пленки оксидов (Al2O3, TiO2, ZrO2, HfO2, Ta2O5, In2O3,SnO2, ZnO, CdO,V2O5, WO3 и др.), нитридов (BN, AlN, GaN, InN, SiNx, Ta3N5, Cu3N, Zr3N4, TiN, TaN, NbN, MoN и др.), соединений АIIBVI (ZnS, CdS,  ZnSe, ZnTe, CaS, SrS, BaS, CdTe, MnTe, HgTe и др.), соединений AIIIBV (GaAs, AlAs, AlP, InP, GaP, InAs), металлов ( Pt, Ir, Pd, Ag, Au, W, Cu, Co, Fe, Ni, Mo, Ta, Ti, Al, Si, Ge) и ряд других химических соединений.

МН-ALD является одним из наиболее перспективных методов в современной нанотехнологии. Синтезируемые данным методом пленки различных химических соединений используются для получения катализаторов, в микро- и оптоэлектронике, микросистемной технике,  электролюминесцентных экранах, солнечной энергетике, литий-ионных аккумуляторах, коррозионностойких покрытиях, буферных слоях и ряде других применений.

В настоящее время целый ряд зарубежных фирм разрабатывает и выпускает исследовательское и промышленное оборудование для МН-ALD. Недавно начат выпуск аналогичного исследовательского оборудования и в России. Процесс синтеза полностью автоматизирован, скорость роста слоев достигает 0.3 мкм/час. Синтез проводится в условиях вакуума до 10-1 Па или в потоке инертного газа-носителя. Метод обеспечивает высокую равномерность нанесения пленок: отклонение по толщине слоя не превышает 1% по площади пластины диаметром 200 мм.