Изучение распределения элементов по глубине производится с использованием методики растрового ионного профилирования. Суть методики заключается в следующем: исследуемая поверхность поочерёдно травится ионами аргона и исследуется РФЭС. В результате получается набор фотоэлектронных спектров при разном времени травления поверхности. Время травления поверхности определяет толщину удалённого слоя. Калибровка с использованием, например, атомно-силового микроскопа позволяет получить количественную зависимость глубины протравливания от времени.
