Использование данной методики предоставляет возможность получения однозначной информации об электронной энергетической структуре и соответствующих дисперсионных зависимостях для электронных состояний валентной зоны исследуемых объектов. Особенно важным это становится при изучении процессов формирования и анализа электронных свойств низкоразмерных наноструктуированных объектов 2D- и 1D-типа, где имеет место существенная модификация их электронной структуры валентных состояний вследствие эффектов размерного квантования. Именно такая модификация и позволяет создавать объекты с принципиально новым типом электронной структуры (которая может быть модифицирована контролируемым образом) и, соответственно, приводить к принципиально новыми электронными свойствами создаваемых объектов. Поэтому очень важно иметь возможность изучения и контроля особенностей электронной структуры и дисперсии электронных состояний в требуемых направлениях зоны Бриллюэна, где имеет место размерные ограничения волновых функций наносистемы.
