Метод фотоэлектронной спектроскопии является современным методом исследования заполненных электронных состояний в твёрдом теле. Он основан на явлении фотоэффекта: электрон в заполненном состоянии оптически возбуждается фотоном в незаполненное состояние. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия остовных уровней позволяет получить количественную информацию об элементном и химическом составе приповерхностной области образцов. Для изучения элементного химического состава образцов с латеральным разрешением используется метод элементного картирования поверхности, реализация данного метода возможна за счёт наличия специальной микроканальной пластины, которая позволяет анализировать вылетающие из твёрдого тела фотоэлектроны с пространственным разрешением.
