Метод наноструктурирования поверхности проводящего образца, основанный на травлении участков образца через полимерную маску; формирование маски осуществляется при помощи локальной засветки сфокусированным пучком ускоренных электронов; минимальный размер структурного элемента достигает нескольких десятков нанометров.
