Метод наноструктурирования поверхности проводящего образца, основанный на распылении участков образца сфокусированным пучком ускоренных ионов галлия; минимальный размер структурного элемента достигает нескольких десятков нанометров.

Используя сайт, Вы соглашаетесь с тем, что СПбГУ применяет файлы «cookie» и сервисы Яндекс.Метрика. Продолжая работу с сайтом, Вы даете свое согласие на обработку персональных данных. Вы можете управлять настройками cookie в Вашем браузере