Метод наноструктурирования поверхности проводящего образца, основанный на распылении участков образца сфокусированным пучком ускоренных ионов галлия; минимальный размер структурного элемента достигает нескольких десятков нанометров.
Метод наноструктурирования поверхности проводящего образца, основанный на распылении участков образца сфокусированным пучком ускоренных ионов галлия; минимальный размер структурного элемента достигает нескольких десятков нанометров.