Методика исследования микрорельефа поверхности проводящих образцов, основанная на анализе вторичных электронов, генерируемых пучком ускоренных ионов галлия (Ga); предельное латеральное разрешение достигает нескольких нанометров.

Используя сайт, Вы соглашаетесь с тем, что СПбГУ применяет файлы «cookie» и сервисы Яндекс.Метрика. Продолжая работу с сайтом, Вы даете свое согласие на обработку персональных данных. Вы можете управлять настройками cookie в Вашем браузере