Методика исследования микрорельефа поверхности проводящих образцов, основанная на анализе вторичных электронов, генерируемых пучком ускоренных ионов галлия (Ga); предельное латеральное разрешение достигает нескольких нанометров.
Методика исследования микрорельефа поверхности проводящих образцов, основанная на анализе вторичных электронов, генерируемых пучком ускоренных ионов галлия (Ga); предельное латеральное разрешение достигает нескольких нанометров.