Метод создания бездефектных гетероструктур на основе полупроводников A3B5, представляющий собой послойную сборку монокристалла при осаждении испаряемых в молекулярных источниках исходных элементах (Ga, As, Al, In), с возможным добавлением p- или n-легирующих примесей. Рост происходит в сверхвысоком вакууме. Накопленный РЦ "Нанофотоника" опыт позволяет создавать квантовые ямы InGaAs/GaAs и GaAs/AlGaAs с неоднородным уширением меньше радиационной ширины экситонного резонанса. Среди других создаваемых в РЦ гетероструктур – брэгговские зеркала и микрорезонаторы, планарные волноводы, толстые квантовые ямы и квантовые ямы сложного профиля (треугольные, параболические) и т.д.

Метод оптической спектроскопии, основанный на анализе спектрального состава лазерного излучения, отраженного от плоского образца. Измерения могут быть проведены при температурах от 1.5 до 300 К и в магнитных полях до 7 Тл. В качестве источников широкоспектрального излучения могут быть использованы фемтосекундные титан-сапфировые лазеры. Регистрация отражения в геометрии Брюстера позволяет упростить интерпретацию спектра, и независимо определять радиационную ширину и нерадиационное уширение экситонных резонансов в образцах с квантовыми ямами A3B5.

Метод оптической спектроскопии, основанный на регистрации спектров люминесцентного излучения, возникающего при накачке образца монохроматическим лазерным излучением как с энергией больше ширины запрещенной зоны, так и при резонансной накачке. В качестве лазеров накачки могут быть использованы полупроводниковые неперестраиваемые (532, 650, 1064 нм) или перестраиваемые лазеры, либо перестраиваемый титан-сапфировый лазер (см. таблицу длин волн лазеров). Измерения могут быть проведены при температурах от 1.5 до 300 К и в магнитных полях до 7 Тл. Времяразрешенная фотолюминесценция может быть зарегистрирована при накачке фемтосекундным титан-сапфировым лазером и регистрации с использованием стрик-камеры.

Имеющиеся в РЦ установки, оснащенные фемтосекундными титан-сапфировыми лазерами, линиями задержки, ФЭУ, стрик-камерами, позволяют изучать сверхбыстрые когерентные процессы, происходящие в нелинейных средах, в том числе, динамику затухания свободной индукции, резонансного релеевского рассеяния, четерехволнового смешения и фотонного эхо и т.д.

Метод зондовой микроскопии, основанный на Ван-дер-Ваальсовском взаимодействии кантилевера с поверхностью образца, позволяющий исследовать микрорельеф поверхности с субнанометровой точностью, а также её магнитные и электрофизические свойства с латеральным разрешением до нескольких десятков нанометров.

Метод синтеза, при котором микроволновое излучение обеспечивает быстрый и равномерный нагрев реакционной смеси без контакта с нагревательным элементом, что предоставляет высокую воспроизводимость и селективность, поэтому метод незаменим для длительных и прецизионных синтезов. Кроме того, микроволновый реактор позволяет тщательно следить и контролировать параметры реакционной среды (температура, давление, мощность излучения и т. д.).

Метод синтеза, который широко используется в материаловедении для получения материалов различной геометрии и состава. Воздействие ультразвука на среду приводит к различным процессам: дисперегирование, сонолиз растворителя, оствальдское насыщение, кавитация и т. д. Варьирование параметров в реакторе позволяет получить широкий спектр функциональных материалов.

Метод, позволяющий проводить в автоклавах химический синтез при высоких температурах и повышенном давлении. Такие уникальные условия используются для получения монокристаллов и частиц веществ, нестабильных вблизи температуры плавления или при обычных условиях нерастворимых в воде и других растворителях.

Метод нанесения частиц или тонких пленок на подложки или волокна, а также покрытии объектов сложной формы, который заключается в погружении или извлекании образца из раствора прекурсоров. Высокая равномерность движения подложки в установке обеспечивает получение пленок высокого качества с хорошей воспроизводимостью.

Метод нанесения частиц или тонких пленок на плоские подложки за счет центрифугирования и растекания раствора прекурсора по поверхности образца. Спиннер позволяет изменять параметры (скорость вращения, ускорение и т. д.) с большой точностью, благодаря чему возможно получать тонкие пленки заданной толщины и состава.