Метод наноструктурирования поверхности проводящего образца, основанный на травлении участков образца через полимерную маску; формирование маски осуществляется при помощи локальной засветки сфокусированным пучком лазера (длина волны 405 нм); минимальный размер структурного элемента достигает трёх микрометров.
