Область применения – микроэлектроника, микромеханика, солнечная энергетика, оптика, оптоэлектроника, топливные элементы, суперконденсаторы, сенсоры и т.п. 

Основные параметры установок:

1. Размеры реакционной камеры:

2.Количество линий подачи реагентов:

3. Максимальная температура реакционной камеры – до 300оС;

4. Скорость роста пленки – до 100 нм/ч;

5. Равномерность толщины пленки по площади подложки (диам. 100 мм) – отклонения не более 2-5% (в зависимости от типа пленки и используемых реагентов);

6.  Синтез проводится в потоке газа-носителя (азот, аргон) при давлении 0.1-50 Торр.

Установки имеют низкотемпературные ловушки для улавливания из газового потока избытка газообразных реагентов и продуктов реакций.