метод создания бездефектных гетероструктур на основе полупроводников A3B5, представляющий собой послойную сборку монокристалла при осаждении испаряемых в молекулярных источниках исходных элементах (Ga, As, Al, In), с возможным добавлением p- или n-легирующих примесей. Рост происходит в сверхвысоком вакууме. Накопленный РЦ «Нанофотоника» опыт позволяет создавать квантовые ямы InGaAs/GaAs и GaAs/AlGaAs с неоднородным уширением меньше радиационной ширины экситонного резонанса. Среди других создаваемых в РЦ гетероструктур – брэгговские зеркала и микрорезонаторы, планарные волноводы, толстые квантовые ямы и квантовые ямы сложного профиля (треугольные, параболические) и т.д.