Установки "Наносерф" и "Солар-МН" предназначены для синтеза методом МН (молекулярного наслаивания)-ALD (Atomic Layer Deposition) тонких пленок различных соединений (Al2O3,TiO2, ZnO, HfO2, VO2, SnO2 и др.) заданной толщины (от долей нанометра до микрон), в том числе с заданным чередованием этих слоев, на поверхности плоских, объемных 3D или дисперсных материалов.
Область применения – микроэлектроника, микромеханика, солнечная энергетика, оптика, оптоэлектроника, топливные элементы, суперконденсаторы, сенсоры и т.п.
Основные параметры установок:
1. Размеры реакционной камеры:
- "Наносерф" – 40х100х150 мм,
- "Солар-МН" – 20х210х250 мм;
2.Количество линий подачи реагентов:
- "Наносерф" – 3 линии подачи газообразных реагентов, 1 линия подачи жидкого реагента,
- "Солар-МН" – 5 линий подачи газообразных реагентов, 1 линия подачи жидкого реагента
- (твердые труднолетучие реагенты могут подаваться в реактор путем впрыска их раствора в легколетучем растворителе);
3. Максимальная температура реакционной камеры – до 300оС;
4. Скорость роста пленки – до 100 нм/ч;
5. Равномерность толщины пленки по площади подложки (диам. 100 мм) – отклонения не более 2-5% (в зависимости от типа пленки и используемых реагентов);
6. Синтез проводится в потоке газа-носителя (азот, аргон) при давлении 0.1-50 Торр.
Установки имеют низкотемпературные ловушки для улавливания из газового потока избытка газообразных реагентов и продуктов реакций.