Сканирующая (растровая) электронная микроскопия (СЭМ, РЭМ) позволяет получить изображения объёмных электронно-плотных образцов с высоким разрешением путём сканирования образцов тонко сфокусированным пучком электронов. Возможно получение информации о строении поверхности объекта (топографический контраст, вторичные электроны), о составе объекта (обратно-рассеянные электроны, анализ характеристического рентгеновского излучения) и некоторых других характеристик. Сканирующий электронный микроскоп Tescan MIRA 3 LMU c возможностью работы при низком вакууме и с напуском водяных паров может применяется в исследованиях биологических образцов для:

      • Сканирующей электронной микроскопии высокого разрешения (до 1 нм) 

      • Сканирующей электронной микроскопии в низковакуумном режиме для обводнённых и непроводящих образцов 

      • Сканирующей криоэлектронной микроскопии при температуре до -130 град. С.

      • Энергодисперсионного микроанализа (ЭДА, EDS) 

Размещение: василеостровская площадка

Статус: оборудование недоступно

 

tescan-mira-3.jpg

Основные технические характеристики

Ускоряющее напряжение:

• от 200В до 30кВ с плавной регулировкой

• система подачи напряжения на образец для получения изображений высокого разрешения при низких ускоряющих напряжениях  от 50В до 5кВ

• максимальное значение тока зонда – 200 нА

Увеличение:  От 4x до 1 000 000x 

Установленные детекторы: 

• SE – детектор вторичных электронов типа Эверхарта-Торнли. Служит для получения изображений топографического контраста.

• R-BSE – выдвигаемый детектор отраженных электронов сцинцилляторного типа на основе высокочувствительного YAG кристалла с разрешением по атомному номеру 0.1Z. Служит для получения изображений композиционного контраста

• TE – детектор прошедших электронов для работы со стандартными образцами просвечивающей электронной микроскопии. Служит для реализации режима сканирующей просвечивающей электронной микроскопии. Малые значения ускоряющего напряжения позволяют получить для тонких срезов контрастное изображение без применения контрастирующих агентов

• LVSTD – детектор вторичных электронов типа Эверхарта-Торнли для режима низкого вакуума в камере. Служит для получения изображений топографического контраста в режиме низкого вакуума

• InBeamSE – детектор вторичных электронов встроенный в объективную линзу, для получения изображений топографического контраста при коротких фокусных расстояниях.

  • Достижимое разрешение при 30 кВ - 1,0 нм с использованием детектора вторичных электронов, встроенного в объективную линзу
  • Достижимое разрешение при 1 кВ - 2,0 нм при использовании детектора вторичных электронов, встроенного в объективную линзу

• InBeamBSE – детектор отраженных электронов встроенный в объективную линзу  (совмещенный с InBeamSE). Служит для получения изображений композиционного контраста при коротких фокусных расстояниях

• Система энергодисперсионного микроанализа Advanced Aztec Energy(IE350)/ X-max80 с гарантированным спектральным разрешением на линии Mn Kα – 127 эВ. 

Камера образцов и столик: 

• Камера и дверца предусматривают установку образцов диаметром до 145 мм

• Моторизованный столик с возможностями перемещения по пяти осям в диапазоне:

  • Оси X,Y – 80 x 60 мм
  • Ось Z – 47 мм
  • наклон в диапазоне - от -80° до +80°
  • вращение 360°

• Моторизованный криостолик с охлаждением до температуры -130°С с возможностью перемещения по 4 осям в диапазоне

  • Оси X,Y – 30 x 30 мм
  • Ось Z – 47 мм
  • наклон в диапазоне - от -20° до +20°

Требования к образцам

Для режима высокого вакуума 

  • Образцы не должны выделять газ при помещении в вакуум (обезвожены) 
  • Образцы должны обладать достаточной электро- и теплопрводностью 

Для режима высокого вакуума с охлаждением 

  • Образцы должны быть в замороженном состоянии  
  • Образцы должны обладать достаточной электропроводностью

Для режима низкого вакуума и режима с напуском водяных паров 

  • Образец должен быть устойчив к используемому давлению 

Дополнительные аксессуары

  • Инфракрасная телекамера для обзора камеры образцов с возможностью цифрового увеличения
  • Датчик касания образца
  • Выносная панель управления для быстрого управления основными параметрами (увеличение, фокус, перемещение).
  • Режим пониженного вакуума в камере с давлением в камере до 500 Па (5.0 мбар) для работы с непроводящими, пористыми, охлажденными и влагосодержащими образцами
  • Возможность напуска водяных паров для исследования влагосодержащих образцов
  • Система вакуумного криопереноса Leica EM VCT-100
  • Криостолик для работы с замороженными образцами
  • Станция для фиксации биоматериала методом замораживания под давлением Leica EM HPF-100
  • Устройство для сушки образцов методом перехода через критическую точку углекислого газа Leica EM CPD300
  • Устройство для нанесения высокоразрешающих проводящих покрытий и плазменной чистки образцов Leica EM SCD500 
  • Устройство для нанесения проводящих покрытий Jeol JEE-420D 
  • Устройство для проведения экспериментов замораживания-скалывания, травления, нанесения проводящих покрытий Leica EM BAF-060